企业简介
厦门乾照光电有限公司是一家由国内民营合资的股份制高科技企业。公司成立于2006年2份，注册资金1500万元，总投资10000万元。 公司座落于厦门火炬创业园创业大厦，生产车间位于由国务院批准建立的厦门翔安火炬高科技园区拥有从美国、德国、日本、韩国等引进的当今世界上的外延和芯片生产设备，并汇聚了一批由美国、台湾和国内专家组成的具有丰富产业化经验的技术团队。 公司生产超高亮度的红、橙、黄LED外延片、芯片及PIN芯片、光通讯核心元件等光电产品。公司将严格按照ISO9000和ISO14000的质量体系标准进行运作，实行全员、全方位、全过程的全面质量管理，努力建设成为硬件水平属国内等同于国际当代水平，产品技术指标属国内产业化水平并接近国际先进水平的产业化基地。
厦门乾照光电有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101388430A | 一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管及其制造方法 | 2009.03.18 | 本发明公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管及其制造方法。N-GaAs衬底上外延的材料自下而上依 |
| 2 | CN101388337A | 一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法 | 2009.03.18 | 本发明公开一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法，在硅衬底上利用MOCVD技术先生长AlN |
| 3 | CN101388419A | 具有反射层的三结太阳电池及其制造方法 | 2009.03.18 | 本发明公开一种具有反射层的三结太阳电池及其制造方法。在P-Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层(D |
| 4 | CN101409321A | 一种具界面粗化的发光二极管及其制作方法 | 2009.04.15 | 本发明公开一种具界面粗化的发光二极管及其制作方法，提供一个基板；在基板上形成发光结构；在发光结构上形 |
| 5 | CN101442092A | 一种高亮度发光二极管及其制造方法 | 2009.05.27 | 本发明公开一种高亮度发光二极管及其制造方法，在导电基板上依序形成第二半导体层、活性层和第一半导体层， |
| 6 | CN101397693A | 一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法 | 2009.04.01 | 本发明公开一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法，先在硅衬底上利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 厦门乾照光电有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 厦门乾照光电有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
